罗姆EcoGaN?为电源系统的发展打开新的方向

时间：2024/2/8 7:54:05 来源：打印

      近期在罗姆媒体会上，罗姆半导体(北京)有限公司技术中心总经理水原德健先生深入解析了该公司在氮化镓技术上的突破和公司在该领域的前瞻性产品。着眼于氮化镓的卓越性能、以及现阶段氮化镓使用上的问题,结合罗姆的技术优势，该公司推出了系列EcoGaN?新产品，旨在助力行业实现更小型、更轻便、更高效的电源解决方案。

      水原德健先生详细比较了硅、碳化硅和氮化镓三种主要半导体材料的特性，从结构上，硅和碳化硅功率器件通常是MOSFET，而氮化镓功率器件则是HEMT。硅一直占据市场的主导地位，而碳化硅和氮化镓则随着科技的发展崭露头角。在数字化和电气化的时代，功率半导体技术对电源和驱动系统的性能至关重要。相比硅，第三代半导体材料具有禁带宽度更宽、高耐压、热导率、电子饱和速度更高的特点，能够满足现代电子技术对半导体材料提出的高温、高功率、高压、高频要求。而同为第三代半导体，相比碳化硅，氮化镓在高耐压和大工作电流方面具有的更大优势，有望在100~600V中等耐压范围内，凭借其出色的击穿场强和电子饱和速度，实现低导通电阻和高速开关（高频率工作）性能。

      硅、碳化硅和氮化镓的特性随之清晰，应用市场也有了区分，硅可应用在普通的市场，碳化硅可以应用到更高压的市场，而氮化镓则更多应用到更高频的市场。