YB6200-X半导体分立器件测试仪
发布日期:11-08-22
1.电学指标
A-K 极间加压范围:                   ±100mV--2000V  
A-K 极间测流范围:                   ±100nA--49.90A     
A-K 极间加流范围:                   ±100nA--49.90A  
A-K 极间测压范围:                   ±100mV--2000V 
G-K 极间加压范围:                   ±100mV--20V   
G-K 极间测流范围:                   ±100nA--10A        
G-K 极间加流范围:                   ±100nA--10A      
G-K 极间测压范围:                   ±100mV--20V
最大电压分辨率:                       5mV
最大电流分辨率:                       1nA
A-K 极间加/测压精度:                1%+10mV
A-K 极间加/测流精度:                1%+10nA+20pA/V
G-K 极间加/测压精度:                1%+5mV
G-K 极间加/测流精度:                1%+10nA+20pA/V
电参数测试重复性:                  2%
2. 可测试器件(DUT)种类
序号
类型名称
符号
1
二极管
DIODE
2
稳压(齐纳)二极管
ZENER
3
晶体管
TRANSISTOR(NPN/PNP)
4
单向可控硅(普通晶闸管)
SCR
5
双向可控硅(双向晶闸管)
TRIAC
6
金属-氧化物-半导体场效应管
MOSFET(N-CH/P-CH)
7
结型场效应管
J-FET(N-CH/P-CH)
8
绝缘栅双极大功率晶体管
IGBT(N-CH/P-CH)
9
达林顿阵列器件
DARLINGTON
10*
光电耦合器
OPTO-COUPLER(NPN/PNP)
11*
光电逻辑器件
OPTO-LOGIC
12*
光电开关管
OPTO-SWITCH
13*
固态过压保护器
SSOVP
14*
硅触发开关
STS,SBS
 
共计14大类。
* 需要另行定制专门的测试适配器和测试夹具。
 
3.技术特征
     该系统产品为供方引进的合作技术项目,功率电源等方面采用新的航天技术做了改进,各项技术指标同于进口产品,测试稳定性、可靠性高于进口产品,故障率明显低于进口产品。代表了目前国际先进技术水平。具有下面特征:
* 采用嵌入式计算机,运行速度快,扩展能力强,实现脱机运行;
* 采用高速16位并行D/A、A/D和专用并行内部总线技术设计,速度快、稳定性高;
* 采用脉冲法测试参数、脉宽可为300μS,占空比可达1/3000以上;
* 采用多级开尔文技术,系统稳定性高,测试结果准确,重复性好;
* 在线系统状态、测试结果、故障定位显示功能,使得使用方便简单;
* 完整的系统自检、校准能力,10分钟将系统故障定位到元件级,30分钟完成系统精度检测;
* 完整的软、硬件升级/扩展功能;
* DUT引腿接触性测试、加压限流能力、A-K短路保护、过压/过流保护等能力,保证了系统安全,有效防止DUT损伤;
* 关键元器件均采用进口原装,精密电阻采用国产军级,全部采用进口原装湿型继电器,装焊工艺现已采用航天工艺线代工,保证系统可靠性高于进口产品;
* 二极管极性自动判别功能,不需人工关注极性,提高操作速度,减少失误;
* 填表式编程,3分钟内即可完成一个新器件编程;
* 混合参数编程方式,使电参数测试编程不受器件类别的限制,支持技术人员实现分析编程;
* 单参数测试延时功能,用户可根据需要选择参数测试延迟时间,增加参数测试稳定性;
* 提供系统内部流性负载、阻性负载选择和外部负载接口,最大极限地满足测试需求;
* 计算步功能,允许将任意测试程序步的测试结果列式计算,形成新的参数,方便新参数定义;
* 分类、分档功能,以便通过编程确定DUT的同异性,测试后自动分类、分档、配对等,提高
DUT使用价值;
* 单步测试功能,用于对单个参数进行测试,同时将测试结果值在前面板上显示,方便在线分析;
* 完整的其它后测试处理能力;
* 所有测试夹具进行了误差补偿和噪声抑制设计。
 注:1)上述专有技术特征可最大限度保证系统使用中的机器、人身、DUT安全;
        2)关于振荡的拟制,尽管在系统、选件本身,包括测试夹具已经采取了多项去噪、抑制措施,可以满足绝大部分类别器件的绝大部分电参数测试的精度和稳定性,但在测试一些微小功率甚高频器件(如高频管的Hfe参数、J-FET的IGSS参数)、以及特大功率器件(如IGBT的VCESAT @ Ice≥200A参数)时,由于DUT的固有特征,极容易引入振荡,需要根据实际情况通过实验对测试夹具进行专门补偿设计,以便消除振荡,满足参数测试要求。
 
所属地区:陕西西安
公司规模:11 - 50人
成立时间:2010年
经营模式:生产型
所属行业:西安太白南路263号
地址: 西安太白南路263号
电话: 029-68967080 传真: 029-88238933
联系人: 杨先生
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